1 电路综述

1.1 概述

RD1508是一款基于CMOS技术的高速度低功耗的8位MCU，内置1k×14bit OTP ROM，并提供保护位用以保护指令码。

RD1508的核心是一个嵌入式8位CPU，片内包含48×8bit的SRAM，6个输入，6个输出口，中断控制器、片内RC振荡器、定时器/计数器、看门狗电路、低压检测电路。它是一个功能强大的微控制电路。

作为一个通用MCU，RD1508主要应用于家电、消费性电子产品及工业自动化控制。

1.2 主要特性

●  1k×14-bit OTP ROM

●  48×8-bit SRAM

●  5级堆栈空间

●  可编程WDT预分频器

●  可编程WDT时间（4.5ms、18ms、72ms、288ms），可控制WDT自由运行时间

●  带信号源选择、触发沿选择以及溢出中断的8位实时时钟/计数器（TCC）

●  工作电压范围：1.8V~5.5V (-0℃～70℃)，2.3V~5.5V (-40℃～85℃) 

●  工作频率范围（2分频）： 

20kHz～10MHz，5V；20kHz～4MHz，3V；20kHz～2MHz，1.8V；

●  系统高低频率的变化点是400kHZ

●  低功耗：

小于2 mA（4MHz/5V）

小于30uA（32kHz/3V）

小于1uA（睡眠模式，WDT关闭）

●     内置RC振荡电路: 455kHz、1MHz、4MHz、8MHz

●     低压复位:1.8V±0.3V、1.6V±0.3V@25℃

●     低压检测(可复用为低压复位): 2.4±0.2V、2.7±0.2V、3.6±0.2V、3.9±0.2V@25℃ 

●     6个中断源:

TCC溢出中断

外部中断(从睡眠模式唤醒)

PWM 中断

P1端口输入状态改变产生中断(从睡眠模式唤醒)

LVD中断(从睡眠模式唤醒)

WDT中断(从睡眠模式唤醒)

●     双向I/O:

 5位可编程控制pull-high I/OS (P1<5:4>P1<2:0>)

6位可编程控制open-drain I/OS(P1<5:0>)

5位可编程控制pull-low I/OS(P1<5:4>P1<2:0> )

●     指令周期长度选择:2个振荡时钟或4个振荡时钟或8个振荡时钟

芯片资料下载:

RD1508芯片手册